Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Конференция по патриотическому воспитанию в НИТУ МИСИС 2025
Исследователи на выставке «Металл-Экспо’2025»
Юрий Оганесян на Рождественской лекции
Центр устойчивого развития НИТУ МИСИС на пресс-конференции в ТАСС